5月29日学术报告:“盐辅助化学气相沉积二维过渡金属硫族化合物”

发布者:蒋红燕mg娱乐登录地址:2019-05-20浏览次数:371

报告题目:盐辅助化学气相沉积二维过渡金属硫族化合物

报告人:李世胜 博士(日本物质材料研究所,国际青年科学家中心研究员)

时间:2019年5月29日(周三) 10:00-11:00

地点:田家炳楼南205会议室

邀请人:吕俊鹏

  

报告摘要:二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)如MoS2,WS2,MoSe2, WSe2等具有优异的电学(高迁移率)和光学性能,有望用于高性能、柔性、可穿戴电子器件。而发展高质量二维TMDC薄膜材料的可控制备技术是实现其应用的关键。本报告基于二维TMDC于材料合成,先容大家在盐辅助化学气相沉积 二维TMDC材料领域的系列进展。
1)2015年,大家在Applied Materials Today上发表了《卤盐辅助常压生长大面积单层WSe2和WS2晶体》。至今,大家首创的“卤盐辅助生长二维TMDC材料”的方法已被国际上数十个课题组采用并证明对近50种二维TMDC材料的生长有帮助,相应的成果发表在国际一流学术期刊,如Nature,Nat. Nanotechnol.,Nat. Commun.,Adv. Mater.等。
2) 2018年,大家在Nature Materials上发表题为《气-液-固法生长MoS2纳米带》的论文,首次提出二维TMDC材料的气-液-固生长机制。这一成果受到了审稿人的高度评价:“该工作为二维TMDC材料的合成开辟了新的研究方向”。
3)目前,大家基于这一全新的、普适的气-液-固生长机制,成功制备了晶圆级高质量的二维TMDC薄膜材料,并实现了二维TMDC材料的定点和图案化生长。从而进一步推进了二维TMDC材料在柔性微纳电子器件中的集成与应用。


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